12月12日消息，星H懸據(jù)韓國媒體報道，內(nèi)能未年內(nèi)由于三星電子的存性8層和12層堆疊HBM3E內(nèi)存樣品性能未能達(dá)到英偉達(dá)的要求，今年內(nèi)正式啟動供應(yīng)的達(dá)求可能性變得非常渺茫，實際供貨預(yù)計將推遲至2025年。供貨
報道指出，星H懸三星電子自2023年10月起便開始向英偉達(dá)提供HBM3E內(nèi)存的內(nèi)能未年內(nèi)質(zhì)量測試樣品，但在一年多的存性時間里，認(rèn)證流程并未取得明顯進(jìn)展。達(dá)求
消息人士透露，供貨SK海力士在HBM3E技術(shù)上的星H懸領(lǐng)先地位，實際上已經(jīng)為這一內(nèi)存設(shè)定了性能參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)能未年內(nèi)而三星電子的存性HBM3E在發(fā)熱和功耗等關(guān)鍵性能參數(shù)上未能滿足英偉達(dá)的嚴(yán)格要求。
SK海力士在HBM3E上使用了批量回流模制底部填充MR-RUF鍵合技術(shù)，達(dá)求而三星電子與美光則采用的供貨是TC-NCF熱壓非導(dǎo)電薄膜技術(shù)。
盡管三星電子在全球HBM和NAND市場中曾占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位，但目前看來，其在HBM3E領(lǐng)域的競爭中已落后于競爭對手。
不過三星電子仍計劃在2025年第一季度開始向英偉達(dá)等大客戶供應(yīng)HBM3E，并期望通過下一代HBM4工藝獲得競爭優(yōu)勢。
作者:百科
