12月15日消息，臺積IEDM 2024大會上，電首臺積電首次披露了N2 2nm工藝的升％關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)：對比3nm，晶體管密度增加15％，功耗同等功耗下性能提升15％，降低同等性能下功耗降低24-35％。臺積

臺積電2nm首次引入全環(huán)繞柵極(GAA)納米片晶體管，電首有助于調(diào)整通道寬度，升％平衡性能與能效。功耗

新工藝還增加了NanoFlex DTCO(設(shè)計(jì)技術(shù)聯(lián)合優(yōu)化)，降低可以開發(fā)面積最小化、臺積能效增強(qiáng)的電首更矮單元，或者性能最大化的升％更高單元。

此外還有第三代偶極子集成，功耗包括N型、降低P型，從而支持六個(gè)電壓閾值檔(6-Vt)，范圍200mV。

通過種種改進(jìn)，N型、P型納米片晶體管的I/CV速度分別提升了70％、110％。

對比傳統(tǒng)的FinFET晶體管，新工藝的納米片晶體管可以在0.5-0.6V的低電壓下，獲得顯著的能效提升，可以將頻率提升大約20％，待機(jī)功耗降低大約75％。

SRAM密度也達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的新高，每平方毫米約38Mb。

此外，臺積電2nm還應(yīng)用了全新的MOL中段工藝、BEOL后段工藝，電阻降低20％，能效更高。

值得一提的是，第一層金屬層(M1)現(xiàn)在只需一步蝕刻(1P1E)、一次EVU曝光即可完成，大大降低了復(fù)雜度、光罩?jǐn)?shù)量。

針對高性能計(jì)算應(yīng)用，臺積電2nm還引入了超高性能的SHP-MiM電容，容量大約每平方毫米200fF，可以獲得更高的運(yùn)行頻率。

按照臺積電的說法，28nm工藝以來，歷經(jīng)六代工藝改進(jìn)，單位面積的能效比已經(jīng)提升了超過140倍！