11月11日消息，臺(tái)積據(jù)報(bào)道，電暫臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家近期透露，海外核心客戶對(duì)2納米（nm）技術(shù)的生產(chǎn)詢問(wèn)熱度顯著超過(guò)3納米，預(yù)示著2nm技術(shù)更受市場(chǎng)青睞，芯片并展望臺(tái)積電在未來(lái)五年內(nèi)能實(shí)現(xiàn)持續(xù)且穩(wěn)健的技術(shù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

業(yè)界動(dòng)態(tài)指出，外移受監(jiān)管政策制約，臺(tái)積盡管臺(tái)積電正積極在美國(guó)、電暫歐洲及日本布局建設(shè)采用先進(jìn)制程技術(shù)的海外核心晶圓廠，其核心的生產(chǎn)最尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)卻無(wú)法遷移至海外生產(chǎn)基地。這一限制源于當(dāng)?shù)氐男酒杀Ｗo(hù)措施，旨在防止核心技術(shù)外流。技術(shù)

臺(tái)積電方面明確表示，外移其海外工廠若要涉足2nm芯片的臺(tái)積生產(chǎn)，仍需數(shù)年時(shí)間的籌備與規(guī)劃，確保全球領(lǐng)先的工藝技術(shù)繼續(xù)保留在本土。

具體到臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的布局，首座晶圓廠正穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)將于2025年初正式投產(chǎn)，率先應(yīng)用4nm制程技術(shù)，月產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)到2萬(wàn)至3萬(wàn)片，標(biāo)志著臺(tái)積電海外先進(jìn)制程生產(chǎn)的里程碑。

緊接著，第二座晶圓廠將采用3nm制程，規(guī)劃月產(chǎn)能為2.5萬(wàn)片，預(yù)計(jì)兩廠到2028年合計(jì)月產(chǎn)能將攀升至6萬(wàn)片。至于第三座晶圓廠，更是瞄準(zhǔn)了2nm或更先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，計(jì)劃在2030年前完成建設(shè)。這一系列布局不僅彰顯了臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位，也為其長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。