近日Intel發(fā)文介紹了在IEDM 2024(2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議)上展示的秀項(xiàng)代多項(xiàng)技術(shù)突破。

在新材料方面，出多減成法釕互連技術(shù)(subtractive Ruthenium)最高可將線間電容降低25%，工技有助于改善芯片內(nèi)互連。術(shù)突

Intel代工還率先展示了一種用于先進(jìn)封裝的破吞異構(gòu)集成解決方案，能夠?qū)⑼掏铝刻嵘哌_(dá)100倍，吐量實(shí)現(xiàn)超快速的暴增倍芯片間封裝(chip-to-chip assembly)。

此外，秀項(xiàng)代Intel代工還展示了硅基RibbionFET CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)，出多以及用于微縮的工技2D場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2D FETs)的柵氧化層(gate oxide)模塊，以提高設(shè)備性能。術(shù)突

在300毫米GaN(氮化鎵)技術(shù)方面，破吞Intel代工也在繼續(xù)推進(jìn)研究，吐量制造了業(yè)界領(lǐng)先的暴增倍高性能微縮增強(qiáng)型GaN MOSHEMT(金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管)。

可以通過減少信號(hào)損失，秀項(xiàng)代提高信號(hào)線性度和基于襯底背部處理的先進(jìn)集成方案，為功率器件和射頻器件等應(yīng)用帶來更強(qiáng)的性能。

Intel代工還認(rèn)為，以下三個(gè)關(guān)鍵的創(chuàng)新著力點(diǎn)將有助于AI在未來十年朝著能效更高的方向發(fā)展：

先進(jìn)內(nèi)存集成(memory integration)，以消除容量、帶寬和延遲的瓶頸;

用于優(yōu)化互連帶寬的混合鍵合;

模塊化系統(tǒng)(modular system)及相應(yīng)的連接解決方案