12月24日消息，國產(chǎn)高達(dá)工藝近日，品率％媲金百達(dá)、原廠光威同時(shí)發(fā)布了采用國產(chǎn)芯片的納米DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，均為頻率6000MHz、國產(chǎn)高達(dá)工藝單條容量16GB，品率％媲雙條套裝價(jià)格499元。原廠

雖然沒有明說，納米但種種跡象都表明，國產(chǎn)高達(dá)工藝DDR5芯片就是品率％媲長鑫存儲出品的，顯然已經(jīng)規(guī)?；慨a(chǎn)。原廠

長鑫此前的納米主要產(chǎn)品是DDR4、LPDDR4、國產(chǎn)高達(dá)工藝LPDDR4X系列，品率％媲制造工藝都是原廠19納米，2023年11月正式推出LPDDR5，用于移動端，如今終于邁入了DDR5的行列，與三星、SK海力士、美光三大原廠平起平坐。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)人士透露，據(jù)其了解，長鑫存儲確實(shí)已經(jīng)開始生產(chǎn)DDR5，并與客戶接洽，公布的產(chǎn)品良率在80％左右。

要知道，三星、SK海力士的DDR5芯片良率也就是80-90％，顯然長鑫已經(jīng)達(dá)到了國際先進(jìn)水準(zhǔn)，而且仍有進(jìn)一步提升的空間。

半導(dǎo)體行業(yè)觀察機(jī)構(gòu)TechInsights的Jeongdong Choi博士也在高度關(guān)注長鑫DDR5，并尋找機(jī)會進(jìn)行分析。

他透露，雖然長鑫沒有公開官方信息，但是根據(jù)他掌握的信息，DDR5一般都是使用G3工藝開發(fā)的，線寬(特征尺寸)為17.5納米。

相比之下，DDR4使用的是G1工藝，線寬22納米，LPDDR4X則使用G1、G3。

要知道，長鑫早已經(jīng)被美國列入實(shí)體清單，不可能獲得三大原廠同款的EUV光刻設(shè)備，只能依賴現(xiàn)有設(shè)備和技術(shù)，即便如此還能高良率量產(chǎn)DDR5，無疑是巨大的突破。

順帶一提，長江存儲今天發(fā)布致態(tài)TiPro9000，作為其首款PCIe 5.0 SSD，使用了新一代晶棧Xtacking 4.0架構(gòu)閃存，雖未透露具體層數(shù)，但明確表示有著更高的存儲密度、I/O速度、可靠性，同樣值得歡欣鼓舞！