12月8日消息，秀項代今天Intel發(fā)文介紹了在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上展示的出多多項技術(shù)突破。

在新材料方面，工技減成法釕互連技術(shù)（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%，術(shù)突有助于改善芯片內(nèi)互連。破吞

Intel代工還率先展示了一種用于先進封裝的吐量異構(gòu)集成解決方案，能夠?qū)⑼掏铝刻嵘哌_100倍，暴增倍實現(xiàn)超快速的秀項代芯片間封裝（chip-to-chip assembly）。

此外，出多Intel代工還展示了硅基RibbionFET CMOS （互補金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)，工技以及用于微縮的術(shù)突2D場效應(yīng)晶體管（2D FETs）的柵氧化層（gate oxide）模塊，以提高設(shè)備性能。破吞 

在300毫米GaN（氮化鎵）技術(shù)方面，吐量Intel代工也在繼續(xù)推進研究，暴增倍制造了業(yè)界領(lǐng)先的秀項代高性能微縮增強型GaN MOSHEMT（金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管）。

可以通過減少信號損失，提高信號線性度和基于襯底背部處理的先進集成方案，為功率器件和射頻器件等應(yīng)用帶來更強的性能。

Intel代工還認(rèn)為，以下三個關(guān)鍵的創(chuàng)新著力點將有助于AI在未來十年朝著能效更高的方向發(fā)展：

先進內(nèi)存集成（memory integration），以消除容量、帶寬和延遲的瓶頸；

用于優(yōu)化互連帶寬的混合鍵合；

模塊化系統(tǒng)（modular system）及相應(yīng)的連接解決方案

(責(zé)任編輯：焦點)