快科技10月25日消息，芯片據(jù)華中科技大學(xué)官微消息，光刻攻克近日，膠關(guān)鍵技該校武漢光電國家研究中心團(tuán)隊(duì)，術(shù)被在國內(nèi)率先攻克合成光刻膠所需的原材研原料和配方，助推我國芯片制造關(guān)鍵原材料突破瓶頸。料國

據(jù)介紹，產(chǎn)配其研發(fā)的芯片T150A光刻膠系列產(chǎn)品，已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，光刻攻克實(shí)現(xiàn)了原材料全部國產(chǎn)，膠關(guān)鍵技配方全自主設(shè)計(jì)，術(shù)被有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。原材研

公開資料顯示，料國光刻膠是產(chǎn)配一種感光材料，用于芯片制造的芯片光刻環(huán)節(jié)，工作原理類似于照相機(jī)的膠卷曝光。芯片制造時(shí)，會在晶圓上涂上光刻膠，在掩膜版上繪制好電路圖。

當(dāng)光線透過掩膜版照射到光刻膠上會發(fā)生曝光，經(jīng)過一系列處理后，晶圓上就會得到所需的電路圖。

由于光刻膠是芯片制造的關(guān)鍵材料，國外企業(yè)對其原料和配方高度保密，目前我國所使用的光刻膠九成以上依賴進(jìn)口。

武漢光電國家研究中心團(tuán)隊(duì)研發(fā)的這款半導(dǎo)體專用光刻膠對標(biāo)國際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。

相較于國外同系列某產(chǎn)品，T150A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達(dá)到120nm，且工藝寬容度更大、穩(wěn)定性更高、留膜率更優(yōu)，其對刻蝕工藝表現(xiàn)更好，通過驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)T150A中密集圖形經(jīng)過刻蝕，下層介質(zhì)的側(cè)壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。

團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示：“以光刻技術(shù)的分子基礎(chǔ)研究和原材料的開發(fā)為起點(diǎn)，最終獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的配方技術(shù)，這只是個開始。我們團(tuán)隊(duì)還會發(fā)展一系列應(yīng)用于不同場景下的KrF與ArF光刻膠，致力于突破國外卡脖子關(guān)鍵技術(shù)，為國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來更多驚喜。”