12月5日消息，接口將推據(jù)媒體報道，速度三星即將在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上展示其最新的超層星出第第10代超過400層3D NAND Flash，接口速度可達(dá)5.6 GT/s。接口將推

三星的速度這一新一代V-NAND保持了TLC（三級單元，或每個單元3位）架構(gòu)，超層星出第每個芯片的接口將推容量為1Tb（128GB）。

三星聲稱，速度其新的超層星出第超400層3D TLC NAND Flash的存儲密度達(dá)到了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的接口將推28.5 Gb/mm²，后者是速度目前世界上存儲密度最高的NAND Flash。

此外，超層星出第三星第10代V-NAND的接口將推接口速度達(dá)到5.6 GT/s，明顯快于長江存儲的速度3.6 GT/s。

在5.6 GT/s的超層星出第速度下，相當(dāng)于約700 MB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，意味著其中10個設(shè)備可以使PCIe4.0 x4接口飽和，而20個足以使超快的PCIe5.0x4接口飽和。

三星計劃在ISSCC 10上推出第10代V-NAND，因此很可能在明年開始批量生產(chǎn)這種NAND Flash，只是尚不清楚新何時會進(jìn)入三星自己的SSD。

(責(zé)任編輯：熱點)